像素面阵列芯片
基于硅基光敏场效应晶体管(PD-MOS)的面阵列芯片（128×128）。应用广泛的光电传感器，光谱响应范围从可见光到近红外线（300-1100nm)。采用 180nm CMOS 生产工艺。具有低噪声、高分辨、高增益和宽动态响应的特点。
具体参数：
| 工艺技术 | 180nm CMOS混合信号工艺 |
| 芯片大小 | 4.86mm x 4.86mm |
| 像素尺寸大小 | 30um * 30um |
| 像素矩阵 | 128*128 |
| 像素分辨率 | 16.67lp/mm |
| 有源区尺寸 | 3.84mm * 13.84mm |
| 增益(放大倍数) | ＞10000 |
| 读取速度 | 151fps |
| 信号输出范围 | 10pA-10μA |
| 曝光方式 | 全局曝光 |
| 应用场景 | 与钙钛矿(面阵列)、Cs1、GOS.新型闪烁体材料片上集成 |
